Walter H. Brattain y la invención del transistor

Walter Houser Brattain (1902-1987)  fue un físico estadounidense que junto con Bardeen y Shockley inventaron el transistor en 1947 en los Laboratorios Bell y por el cual recibió el Premio Nobel de Física en 1956.

Aunque nació en Amoy (China), creció en el estado americano de Washington. Obtuvo su B.S. en 1924 en la Universidad de Whitman, en Walla Walla, Washington; se gradúa en 1926 con el M.A. en la Universidad de Oregón y el doctorado lo consigue en 1929 en la Universidad de Minnesota. En este mismo año ingresó en los Laboratorios Bell.

Su campo principal de investigación fue en sus primeros años el analizar las propiedades superficiales de los sólidos, en particular hizo aportaciones importantes en relación con la emisión electrónica de las lámparas con filamento de wolframio, que era de gran importancia en la incipiente industria de las válvulas de radio. Continuó después con el estudio de la rectificación en las superficies del óxido de cobre, que continuaría después con los materiales semiconductores de germanio y silicio.

En diciembre de 1947 inventó el transistor con sus compañeros John Bardeen y William B. Shockley, por lo que los tres científicos recibieron el Premio Nobel de Física en 1956. Brattain recibió el grado de Doctor Honoris Causa por la Universidad de Portland en 1952, de la Union College en 1955 y de la Universidad de Minnnesota en 1957. En 1952 recibió el Premio Stuart Ballantine del Instituto Franklin y la Medalla John Scott en 1955 por el descubrimiento del transistor. Brattain fue miembro de la Academia de Ciencias de EE.UU., del Instituto Franklin y de Asociación americana para el avance de la Ciencia. Fue también profesor adjunto en la Universidad de Whitman entre 1967 y 1972.

Se le atribuyen gran número de patentes en el campo de la electrónica y escribió multitud de artículos sobre física del estado sólido.

Esquema del primer transistor bipolar. El transistor sustituyó rápidamente a la válvula electrónica y se utiliza como componente activo en los circuitos integrados actuales.

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